FDZ5047N
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDZ5047N |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 22A 36BGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 36-BGA (5x5.5) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 22A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 36-VFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4993 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 22A (Ta) |
Grundproduktnummer | FDZ50 |
FDZ5047N Einzelheiten PDF [English] | FDZ5047N PDF - EN.pdf |
FIRST SOD323
FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
MICROWAVE,FREQUENCY DOUBLER
FAIRCHILD BGA
MOSFET N-CH 30V 22A BGA
MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
FDZ501 IPS
INTEGRATED CIRCUIT
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MIXER,DOUBLER,FREQUENCY
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
DOUBLER,FREQUENCY
FDZ501D IPS
MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
2024/05/10
2024/01/25
2024/04/27
2025/01/2
FDZ5047Nonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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